a.   熟练掌握TCAD软件，如Silvaco Taurus或Sentaurus。

b.   能用布局工具绘制测试图案布局，如laker, virtuoso。

c.   熟练掌握器件特性分析仪器，如B1505、HP4155、HP8753D和HP4284。

d.   具有半导体工艺流程的基本知识。

负责器件设计和开发，包括沟槽MOSFET、SGT、超级结MOSFET、LDMOS、IGBT和其他器件。

a   工作内容包括工艺仿真、器件仿真、布局、器件特性分析、器件可靠性和鉴定。

b.   向其他团队发布器件设计规则。

硕士以上学历，毕业于电子工程、物理学、电子材料科学及相关专业。3年以上功率器件设计和仿真的工作经验。